mos管击穿原因和解决方法

　　MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文全称metal oxide semiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，所以，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。

MOS管击穿原因及解决方法

首先，MOS管本身的输入电阻很高，栅极和源极之间的电容很小，所以很容易被外部电磁场或静电感应充电，少量的充电可以在电极之间的电容上形成相对较高的电压。（U=Q/C），损坏管道。虽然MOS输入有防静电保护措施，但仍需小心处理。最好使用金属容器或导电材料进行包装和储存。不要放在易受静电高压的化学材料或化纤织物中。组装调试时，工具、仪表、工作台等应接地良好。为防止操作人员静电干扰造成损坏，如不适合穿尼龙或化纤衣服，手或工具在接触集成块前应接地。矫直或弯曲设备导线或手工焊接时，所用设备必须接地良好。

其次，当MOS电路的输入端的保护二极管接通时，其电流容限为1ma。当可能出现过大的瞬态输入电流（超过10毫安）时，输入保护电阻应串联。因此，在应用过程中可以选择带有内部保护电阻的MOS管。同时，由于保护电路吸收的瞬时能量有限，过大的瞬时信号和过高的静电电压会使保护电路失效。因此，在焊接过程中，烙铁必须可靠接地，以防止设备输入端子泄漏。一般使用时，断电后，可利用烙铁的余热进行焊接，其接地脚应先焊好。

MOS是一种电压驱动元件，对电压非常敏感。浮动G可以很容易地接受外部干扰使MOS导通。外部干扰信号给G-S结电容器充电。这种微小的电荷可以储存很长时间。在测试中，G悬架是非常危险的。其中很多是由爆管引起的，G接一个下拉电阻接地，旁路干扰信号不通过，一般为10~20K，这个电阻叫做门电阻。功能1：为场效应晶体管提供偏置电压；功能2：用作放气电阻器（保护栅极G源）。第一个角色很容易理解。这里是第二个作用原理：保护栅G~源S：场效应晶体管的GS极之间的电阻很大，所以只要有少量的静电就可以使其GS极之间的等效电容产生高压。如果这些少量的静电没有及时放电，穿过his的高压可能会导致场效应管发生故障，甚至可能击穿。GS电极；此时，栅极和源极之间增加的电阻可以释放上述静电放电，从而保护场效应管。