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返回1、MOS管基本参数
Ciss ：输入电容， Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路)。
Coss ：输出电容，Coss = CDS +CGD。
Crss ：反向传输电容，Crss = CGD。
Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间。
Tf ：下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间。
Td(on)：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时间。
Td(off)：关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间。
Qgd：栅漏充电(考虑到Miller效应)电量。
Qgs：栅源充电电量。
Qg：栅极总充电电量。
2、MOS管静态参数
STG：存储温度范围。
Tj：最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。(此参数靠不住)
VGS：最大栅源电压。，通常为：-20V~+20V
PD：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升有所减额。(此参数靠不住)
IDM：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。
ID：最大漏源电流。是指场效应管正常作业时，漏源间所容许经过的最大电流。场效应管的作业电流不应超越ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。
3、MOS管动态参数
IGSS：栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS通常在纳安级。
IDSS：饱满漏源电流，栅极电压VGS=0、VDS为必定值时的漏源电流。通常在微安级。
VGS(th)：开启电压(阀值电压)。当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。
RDS(on)：在特定的VGS(一般为10V)、结温及漏极电流的前提下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数通常会随结温度的上升而有所增大(正温度特性)。故应以此参数在最高作业结温前提下的值作为损耗及压降计算。
Tj：漏源击穿电压的温度系数，通常为0.1V/℃。
4、MOS管雪崩击穿特性参数
这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标。如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态。
EAS：单次脉冲雪崩击穿能量。这是个极限参数，说明 MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量。
IAR：雪崩电流
EAR：重复雪崩击穿能量
5、体内二极管参数
IS：连续最大续流电流(从源极)
ISM：脉冲最大续流电流(从源极)
VSD：正向导通压降
Trr：反向恢复时间
Qrr：反向恢复充电电量
Ton：正向导通时间。(基本可以忽略不计)
6、常用MOS管的型号参数大全
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