场效应管的极性判别方法

　　场效应晶体管(FET)具有输入电阻大、噪声低、热稳定性好、易于集成等优点，广泛应用于电子电路、大电流和高压电路中，正确使用和区分场效应晶体管的管脚和极性是非常必要的，与三极管一样，要了解场效应晶体管的管脚和极性，首先要了解它的结构和原理;场效应晶体管的管脚有三个电极：栅极G、漏极D和源极S(双栅极管有四个电极);场效应管由结场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS)构成。场效应晶体管的“结”是指pn结。绝缘栅场效应晶体管的绝缘栅是指栅、源和漏之间的二氧化硅绝缘层。它们之间没有传导联系。根据导电沟道的性质，将结场效应管和绝缘栅场效应管分为电子型(n)沟道和空穴型(p)沟道。这是场效应管传导的通道;极性晶体管、三极管是双极晶体管，即前者只由一种载流子传导，后者由两种载流子传导;场效应晶体管是压控晶体管，通过栅极和源极。两个通道之间的电压改变了通道的导电性。三极管是一种电流控制晶体管，通过改变电流来改变集电极电流。

　　从结构上可以看出结场效应晶体管具有以下特点：

      漏极D与源极S之间的半导体类型相同，即相同的p型或n型半导体，正负方向电阻相等，且电阻相对较小。与栅极G、漏极D和源S连接的半导体类型总是不同的。在栅极G和带pn结的漏源之间，pn结的正向电阻小，反向电阻大；

        结场效应管的工作原理：对栅极和源施加反向电压后，pn结的厚度会发生变化，从而改变电导通道导电性；

　　从增强型MOS管1的结构看：

       1.栅极G与漏极D和源极S分离，它们之间的电阻是无穷大的。

       2.漏极和源极在不加电压的情况下是不导电的；

       3.增强型NMOS管是基于P型硅片（也称为衬底），漏极与N型半导体相连，衬底和源极连接在一起，因此P型衬底和漏极N型半导体形成一个二极管，称为寄生二极管；因此漏极和源极之间的反向电阻很小。

      增强型MOS管的工作原理是：在栅极和源极之间施加正向电压，达到一定值后形成导电沟道。改变电压将改变导电沟道的宽度和导电性；从结构1看MOS管。栅极与源极和漏极隔离，它们之间的电阻是无穷大的。所述漏极和所述源极可以导通，所述沟道在制造时形成；在所述电极和所述源极之间施加反向电压后在栅极处，改变电压改变所述导通沟道的宽度和导电性；

　　检测方法

　   结场效应管的漏极和源极在制造过程中是对称的，因此可以在不影响正常工作的情况下互换，只需确定栅极和沟道的类型。拨至R×100Ω，测量场效应管任意两极间的电阻，每方向一根。有以下几种情况：

       1。如果两次测量的电阻相同或相似，则两极为漏极。D，源S，其余为栅极；则红笔不动，黑笔触栅极，若电阻值较大，则测得p n节点反向电阻，黑笔接n，红笔接p，则管为p通道，否则为n通道；

        2。如果这两个测量值是大是小，则表明其中一个是栅极，另一个是漏极或源极。根据电阻值小的时间，红笔不动，黑笔接另一极。如果电阻值很小，与黑笔切换前测得的电阻值相同或相似，则红笔与电网相连。管为p通道；若测得的电阻与黑笔反转前测得的电阻明显不同，则黑笔反转前有栅极，管为n通道场效应管；或直接测量两极间的正负电阻，第一种情况，你可以确定网格，这是相对简单的

　　想要了解更多，欢迎添加微信：

　　联系人：李先生

　　手机号码：18124729390