场效应管的分类

　　场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，名字由此而来。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有空穴作为载流子的P沟道器件子和电子作为载流子的N沟道器件和。从场效应管的结构来划分，它分为两种：

　　1.结型场效应管

　　(1) 结型场效应管结构

　　N沟道结型场效应管的结构如看下图，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。

　　(2) 结型场效应管工作原理

　　以N沟道为例说明其工作原理。

　　当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。当VGS<0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS (off)。

　　2. 绝缘栅场效应管（mos管）的工作原理

　　绝缘栅场效应管分为：

　　耗尽型→N沟道、P沟道

　　增强型→N沟道、P沟道

　　(1)N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构

　　N沟道耗尽型的结构和符号如下图(a)所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。

　　(2)P沟道增强型和耗尽型MOSFET

　　P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。

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