场效应管的代换

　大家知道场效应管有些参数之间可以互相替换吗?在有些参数的效应管没有了的情况下，可以找另一参数的场效应管代替。那么，代换的原则是什么呢?

   根据场效应管相应的一些参数，首先是一些硬性指标，例如DS耐压，和DS所能承受的最大电流，GS耐压。其次考虑Rds，频率，开通关断时间等参数。

   下面是场效应管代换具体原则：

    首先，同一类型

    1.材料是一样的。即锗管为锗管，硅管为硅管。

    2.极性相同。即用NPN型管代替NPN型管，用PNP型管代替PNP型管。

    3.实际模型相同，标注方法不同。例如：D1555与2SD1555相同；R1201与GR1201相同；3DG9014与9014相同；但不排除同一型号由于厂家不同，参数差异很大。

     第二，相似特征--用于替换（替换）的晶体管的特性应与原始晶体管的特性相似。其主要参数值和特性曲线应与原管相似或优于原管。对于不同的电路，应该有偏差。一般来说，只要下列主要参数相似，即可满足更换（替代）要求。

    1、集电极最大直流耗散功率

    通常，需要更换（替代）其Pcm等于或大于原管的晶体管。如果原晶体管在整个电路中的实际直流耗散功率远小于其Pcm，也可以用具有较小Pcm的晶体管替换（替换）。

    2、集电极最大允许直流电流（ICM）

    通常，需要更换（替代）其Icm等于或大于原管的晶体管。

    Icm的要求因制造商而异，有时它们差别很大。我们应该注意制造商给出的试验条件。

    下面是场效应管一些常用的:

    FGA25N120AND(IGBT) 1200V/25V/TO3P(电磁炉用）

    FQA27N25（MOSFET)  250V/27A/TO3P  IRFR254

    FQA25N25（MOSFET)  250V/27A/TO3P 

    FQA40N25（MOSFET)

    FQA55N25（MOSFET)

    FQA18N50V2（MOSFET)

    FQA24N50（MOSFET)...

    具体看下图：

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